知识星球里的学员问：在TSV工艺填充时，常会看到空洞，请问空洞形成的机理是什么？
TSV的空洞是什么样子？
如上图，a，d，e是有空洞的TSV；b，c是正常的的TSV填充的效果。
TSV填充空洞的形成机理？
1，在TSV电镀过程中，电流在孔口区域会集中，导致该区域的电流密度较大。导致沉积速率比孔内部更快。孔口处的铜沉积物会迅速增厚，逐渐封闭孔口。
2，TSV孔内的电镀液传输主要依赖扩散和对流。孔底由于深度较大，对流效应弱，扩散慢，导致铜离子供应不足，沉积速率较低。上下沉积速率差异更大，导致出现空洞。
TSV常见的填充方式？
上图为Conformal Growth,在TSV孔的内壁上铜均匀地沿着整个孔壁厚度生长，易出现空洞。
上图为Bottom-Up Growth，自下而上的Cu生长模式。
欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1900人左右。在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升半导体制造能力，介绍如下：